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STB6NK60Z-1相关型号
ST热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • STB6NK60Z-1

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列SuperMESH™
  • 零件状态不適用於新設計
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）1.2 欧姆 @ 3A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4.5V @ 100µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）46nC @ 10V
  • Vgs（最大值）30V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）905pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）110W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装I2PAK
  • 封装/外壳TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

其它信息

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