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STGB6M65DF2相关型号
ST热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • STGB6M65DF2

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列M
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）650V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）12A
  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)24A
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2V @ 15V，6A
  • 功率 - 最大值88W
  • 开关能量36µJ（开），200µJ（关）
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷21.2nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值15ns/90ns
  • 测试条件400V，6A，22 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）140ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装D2PAK

其它信息

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